SIE726DF-T1-E3
Modello di prodotti:
SIE726DF-T1-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19839 Pieces
Scheda dati:
SIE726DF-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:10-PolarPAK® (L)
Serie:SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:10-PolarPAK® (L)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SIE726DF-T1-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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