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RF4E110GNTR
- Modello di prodotti:
- RF4E110GNTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19948 Pieces
- Scheda dati:
- RF4E110GNTR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RF4E110GNTR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RF4E110GNTR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerUDFN |
| Altri nomi: | RF4E110GNTRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RF4E110GNTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 504pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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