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RF4E100AJTCR
- Modello di prodotti:
- RF4E100AJTCR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17439 Pieces
- Scheda dati:
- RF4E100AJTCR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RF4E100AJTCR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RF4E100AJTCR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | HUML2020L8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.4 Ohm @ 10A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | RF4E100AJTCRTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RF4E100AJTCR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1460pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 10A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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