Acquistare SI7455DP-T1-GE3 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI7455DP-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5160pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 80V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |