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SI7452DP-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI7452DP-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14051 Pieces
- Scheda dati:
- SI7452DP-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.9W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SO-8 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI7452DP-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 11.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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