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SI3127DV-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI3127DV-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13390 Pieces
- Scheda dati:
- SI3127DV-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 89 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | SI3127DV-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SI3127DV-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 833pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta), 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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