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FQA7N90M
- Modello di prodotti:
- FQA7N90M
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15629 Pieces
- Scheda dati:
- FQA7N90M.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQA7N90M, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQA7N90M via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 210W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA7N90M |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1880pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 7A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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