IPI032N06N3GAKSA1
IPI032N06N3GAKSA1
Modello di prodotti:
IPI032N06N3GAKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 120A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13028 Pieces
Scheda dati:
IPI032N06N3GAKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 118µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.2 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):188W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:SP000680650
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPI032N06N3GAKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 120A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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