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SCT10N120
- Modello di prodotti:
- SCT10N120
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16512 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SCT10N120.pdf2.SCT10N120.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | HiP247™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 690 mOhm @ 6A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | 497-16597-5 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SCT10N120 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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