Acquistare IXFC20N80P con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS220™ |
| Serie: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 166W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | ISOPLUS220™ |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXFC20N80P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4680pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 11A (Tc) 166W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |