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RW1A030APT2CR
- Modello di prodotti:
- RW1A030APT2CR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18793 Pieces
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RW1A030APT2CR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RW1A030APT2CR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | -8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WEMT |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 42 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | RW1A030APT2CR-ND RW1A030APT2CRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RW1A030APT2CR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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