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RW1A020ZPT2R
- Modello di prodotti:
- RW1A020ZPT2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13124 Pieces
- Scheda dati:
- RW1A020ZPT2R.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RW1A020ZPT2R, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RW1A020ZPT2R via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WEMT |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | RW1A020ZPT2R-ND RW1A020ZPT2RTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RW1A020ZPT2R |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 770pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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