RV1C001ZPT2L
RV1C001ZPT2L
Modello di prodotti:
RV1C001ZPT2L
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12221 Pieces
Scheda dati:
RV1C001ZPT2L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VML0806
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-SMD, No Lead
Altri nomi:RV1C001ZPT2LTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:RV1C001ZPT2L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML0806
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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