FDB7030L_L86Z
FDB7030L_L86Z
Modello di prodotti:
FDB7030L_L86Z
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12995 Pieces
Scheda dati:
FDB7030L_L86Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:7 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDB7030L_L86Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2440pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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