RSS080N05FU6TB
Modello di prodotti:
RSS080N05FU6TB
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19180 Pieces
Scheda dati:
RSS080N05FU6TB.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RSS080N05FU6TB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 8A (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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