RJM0603JSC-00#13
Modello di prodotti:
RJM0603JSC-00#13
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12375 Pieces
Scheda dati:
RJM0603JSC-00#13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:20-HSOP
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:54W
imballaggio:-
Contenitore / involucro:20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
temperatura di esercizio:175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RJM0603JSC-00#13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 4.5V Drive
Descrizione espansione:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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