Acquistare RFD3055LE con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 107 mOhm @ 8A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 38W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RFD3055LE |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |