RS1G150MNTB
RS1G150MNTB
Modello di prodotti:
RS1G150MNTB
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18251 Pieces
Scheda dati:
RS1G150MNTB.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-HSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10.6 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:RS1G150MNTBTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:RS1G150MNTB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:930pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 15A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Ta)
Email:[email protected]

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