QS8K11TCR
QS8K11TCR
Modello di prodotti:
QS8K11TCR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19591 Pieces
Scheda dati:
QS8K11TCR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 3.5A, 10V
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:QS8K11TCRTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:QS8K11TCR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.3nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A
Email:[email protected]

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