NTJD1155LT1
NTJD1155LT1
Modello di prodotti:
NTJD1155LT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18996 Pieces
Scheda dati:
NTJD1155LT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Potenza - Max:400mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTJD1155LT1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

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