QS8J2TR
QS8J2TR
Modello di prodotti:
QS8J2TR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12310 Pieces
Scheda dati:
QS8J2TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:36 mOhm @ 4A, 4.5V
Potenza - Max:550mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:QS8J2TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1940pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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