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QS6J11TR
- Modello di prodotti:
- QS6J11TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19284 Pieces
- Scheda dati:
- QS6J11TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS6J11TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS6J11TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT6 (SC-95) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | QS6J11TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 770pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A |
| Email: | [email protected] |
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