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QS8J13TR
- Modello di prodotti:
- QS8J13TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19442 Pieces
- Scheda dati:
- QS8J13TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per QS8J13TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per QS8J13TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.25W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | QS8J13TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6300pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.5A |
| Email: | [email protected] |
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