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PSMN7R6-60XSQ
- Modello di prodotti:
- PSMN7R6-60XSQ
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V TO220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17147 Pieces
- Scheda dati:
- PSMN7R6-60XSQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.6V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 46W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Altri nomi: | 568-12475 934069171127 PSMN7R6-60XS,127 PSMN7R6-60XSQ-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PSMN7R6-60XSQ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2651pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 51.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220F-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V TO220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 51.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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