PSMN1R0-30YLDX
PSMN1R0-30YLDX
Modello di prodotti:
PSMN1R0-30YLDX
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14699 Pieces
Scheda dati:
PSMN1R0-30YLDX.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK56, Power-SO8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.02 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):238W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
Altri nomi:1727-1859-6
568-11555-6
568-11555-6-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PSMN1R0-30YLDX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8598pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:121.35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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