PSMN1R5-30BLEJ
PSMN1R5-30BLEJ
Modello di prodotti:
PSMN1R5-30BLEJ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12788 Pieces
Scheda dati:
PSMN1R5-30BLEJ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.15V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):401W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:1727-1101-2
568-10256-2
568-10256-2-ND
934067368118
PSMN1R5-30BLEJ-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:PSMN1R5-30BLEJ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14934pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:228nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 120A (Tc) 401W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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