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PMF280UN,115
- Modello di prodotti:
- PMF280UN,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18477 Pieces
- Scheda dati:
- PMF280UN,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-323-3 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 340 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 560mW (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi: | 568-7413-2 934057725115 PMF280UN T/R PMF280UN T/R-ND PMF280UN,115-ND PMF280UN115 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMF280UN,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 45pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.89nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 1.02A (Tc) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.02A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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