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PHKD6N02LT,518
- Modello di prodotti:
- PHKD6N02LT,518
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17045 Pieces
- Scheda dati:
- PHKD6N02LT,518.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 3A, 5V |
| Potenza - Max: | 4.17W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | 934056831518 PHKD6N02LT /T3 PHKD6N02LT /T3-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PHKD6N02LT,518 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.9A |
| Email: | [email protected] |
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