IRF7379TRPBF
IRF7379TRPBF
Modello di prodotti:
IRF7379TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15047 Pieces
Scheda dati:
IRF7379TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:45 mOhm @ 5.8A, 10V
Potenza - Max:2.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:IRF7379PBFTR
IRF7379TRPBF-ND
IRF7379TRPBFTR-ND
SP001571968
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF7379TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.8A, 4.3A
Email:[email protected]

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