PBLS2003S,115
Modello di prodotti:
PBLS2003S,115
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16673 Pieces
Scheda dati:
PBLS2003S,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):10k
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:568-7231-2
934060279115
PBLS2003S T/R
PBLS2003S T/R-ND
PBLS2003S,115-ND
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PBLS2003S,115
Frequenza - transizione:100MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
Descrizione:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA, 100nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 3A
Email:[email protected]

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