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PBLS2002S,115
- Modello di prodotti:
- PBLS2002S,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15425 Pieces
- Scheda dati:
- PBLS2002S,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V, 20V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 4.7k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 4.7k |
| Potenza - Max: | 1.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | 568-7229-2 934060278115 PBLS2002S T/R PBLS2002S T/R-ND PBLS2002S,115-ND PBLS2002S115 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PBLS2002S,115 |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO |
| Descrizione: | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1µA, 100nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA, 3A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PBLS2002S,115
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PBLS2003S,115 | NXP USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | Inchiesta |
|
PBLS2001S,115 | NXP USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | Inchiesta |
 |
EMB4T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Inchiesta |
 |
RN4610(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 | Inchiesta |
 |
DMA261020R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5 | Inchiesta |
 |
NSBC124EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Inchiesta |
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