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NVF2955PT1G
- Modello di prodotti:
- NVF2955PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12457 Pieces
- Scheda dati:
- NVF2955PT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 185 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NVF2955PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 492pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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