FDN359AN
Modello di prodotti:
FDN359AN
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12905 Pieces
Scheda dati:
1.FDN359AN.pdf2.FDN359AN.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:46 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:FDN359AN_F095
FDN359ANTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:FDN359AN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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