Acquistare NTZS3151PT1H con BYCHPS
Acquista con garanzia
NTZS3151PT1H
- Modello di prodotti:
- NTZS3151PT1H
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18926 Pieces
- Scheda dati:
- NTZS3151PT1H.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTZS3151PT1H, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTZS3151PT1H via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-563-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 170mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTZS3151PT1H |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 458pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563-6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTZS3151PT1H
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RP1E090XNTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 | Inchiesta |
 |
NTZS3151PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | Inchiesta |
|
NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | Inchiesta |
 |
IXTT36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 | Inchiesta |
 |
IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | Inchiesta |
 |
IXFH94N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | Inchiesta |
 |
FQP4N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220 | Inchiesta |
 |
NTE4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 | Inchiesta |
|
IPB04N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Inchiesta |
 |
APT7M120S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK | Inchiesta |
 |
NVJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 | Inchiesta |
 |
SI1473DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | Inchiesta |
 |
NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog