Acquistare NTZS3151PT1G con BYCHPS
Acquista con garanzia
NTZS3151PT1G
- Modello di prodotti:
- NTZS3151PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14059 Pieces
- Scheda dati:
- NTZS3151PT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTZS3151PT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTZS3151PT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 170mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | NTZS3151PT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 45 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTZS3151PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 458pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTZS3151PT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTZS3151PT1H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 | Inchiesta |
|
NTZS3151PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | Inchiesta |
 |
APT60M75JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | Inchiesta |
 |
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 | Inchiesta |
 |
IRF6215LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 | Inchiesta |
 |
ZXMN2069FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH SOT23-3 | Inchiesta |
 |
STP15NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | Inchiesta |
 |
CSD18540Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | Inchiesta |
 |
AOT12N30L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 | Inchiesta |
 |
IXTA160N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | Inchiesta |
 |
AOD456 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 25V 50A TO252 | Inchiesta |
 |
IXFK55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA | Inchiesta |
 |
BSS127 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog