NTZD3155CT1H
NTZD3155CT1H
Modello di prodotti:
NTZD3155CT1H
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12518 Pieces
Scheda dati:
NTZD3155CT1H.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-563-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:NTZD3155CT1H
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563-6
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:540mA, 430mA
Email:[email protected]

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