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NTZD3155CT1G
- Modello di prodotti:
- NTZD3155CT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15718 Pieces
- Scheda dati:
- NTZD3155CT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTZD3155CT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTZD3155CT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Potenza - Max: | 250mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | NTZD3155CT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 40 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTZD3155CT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 540mA, 430mA |
| Email: | [email protected] |
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