NTTD1P02R2G
NTTD1P02R2G
Modello di prodotti:
NTTD1P02R2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12513 Pieces
Scheda dati:
NTTD1P02R2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:Micro8™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:160 mOhm @ 1.45A, 4.5V
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Altri nomi:NTTD1P02R2GOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTTD1P02R2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:265pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8™
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.45A
Email:[email protected]

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