NTLUD3A260PZTBG
NTLUD3A260PZTBG
Modello di prodotti:
NTLUD3A260PZTBG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18704 Pieces
Scheda dati:
NTLUD3A260PZTBG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-UDFN (1.6x1.6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:200 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UFDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NTLUD3A260PZTBG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

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