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NTLGF3501NT1G
- Modello di prodotti:
- NTLGF3501NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15946 Pieces
- Scheda dati:
- NTLGF3501NT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-DFN (3x3) |
| Serie: | FETKY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.14W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-VDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | NTLGF3501NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 275pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-DFN (3x3) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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