Acquistare IXKF40N60SCD1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 3mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS i4-PAC™ |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 70 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | - |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | i4-Pac™-5 (3 leads) |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
codice articolo del costruttore: | IXKF40N60SCD1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | Super Junction |
Descrizione espansione: | N-Channel 600V 41A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 41A (Tc) |
Email: | [email protected] |