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NTGS4111PT1G
- Modello di prodotti:
- NTGS4111PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13807 Pieces
- Scheda dati:
- NTGS4111PT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTGS4111PT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTGS4111PT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 630mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 |
| Altri nomi: | NTGS4111PT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 30 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTGS4111PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTGS4111PT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI5499DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 | Inchiesta |
 |
SIHG22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC | Inchiesta |
 |
PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Inchiesta |
 |
IXTC220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 | Inchiesta |
 |
NTGS4111PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
IRL8113STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | Inchiesta |
|
NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP | Inchiesta |
|
NTGS4111PT2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
SI3441BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
SIR426DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | Inchiesta |
 |
AOT284L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 80V 16A TO220 | Inchiesta |
 |
NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | Inchiesta |
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