NIF9N05CLT1
NIF9N05CLT1
Modello di prodotti:
NIF9N05CLT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12215 Pieces
Scheda dati:
NIF9N05CLT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:125 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.69W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:NIF9N05CLT1OSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:NIF9N05CLT1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 35V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 52V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223
Tensione drain-source (Vdss):52V
Descrizione:MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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