Acquistare NIF9N05CLT3G con BYCHPS
Acquista con garanzia
NIF9N05CLT3G
- Modello di prodotti:
- NIF9N05CLT3G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17852 Pieces
- Scheda dati:
- NIF9N05CLT3G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NIF9N05CLT3G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NIF9N05CLT3G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.69W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | NIF9N05CLT3GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | NIF9N05CLT3G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 35V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 59V 2.6A (Ta) 1.69W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 59V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NIF9N05CLT3G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM40N15-38_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A TO263 | Inchiesta |
 |
RRL025P03TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 | Inchiesta |
 |
NIF9N05CLT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | Inchiesta |
 |
NTD4913N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK | Inchiesta |
|
NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | Inchiesta |
 |
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | Inchiesta |
 |
BUK9Y22-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK | Inchiesta |
|
NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | Inchiesta |
 |
SIR626DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 100A SO8 | Inchiesta |
 |
FDPF12N50NZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F | Inchiesta |
|
IPB80P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | Inchiesta |
 |
IXFP5N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220 | Inchiesta |
 |
SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog