Acquistare NTB5605PT4G con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 140 mOhm @ 8.5A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 88W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | NTB5605PT4G-ND NTB5605PT4GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 28 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTB5605PT4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1190pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |