NTB35N15T4G
NTB35N15T4G
Modello di prodotti:
NTB35N15T4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13451 Pieces
Scheda dati:
NTB35N15T4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 18.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta), 178W (Tj)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NTB35N15T4GOS
NTB35N15T4GOS-ND
NTB35N15T4GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:25 Weeks
codice articolo del costruttore:NTB35N15T4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 37A (Ta) 2W (Ta), 178W (Tj) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:37A (Ta)
Email:[email protected]

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