Acquistare BSB012N03LX3 G con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-WDSON |
| Altri nomi: | BSB012N03LX3 G-ND BSB012N03LX3G BSB012N03LX3GXUMA1 SP000597846 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | BSB012N03LX3 G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 16900pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 169nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |