NTB25P06G
NTB25P06G
Modello di prodotti:
NTB25P06G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18023 Pieces
Scheda dati:
NTB25P06G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:82 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):120W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTB25P06G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:27.5A (Ta)
Email:[email protected]

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