Acquistare AUIRF3808S con BYCHPS
Acquista con garanzia
AUIRF3808S
- Modello di prodotti:
- AUIRF3808S
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12148 Pieces
- Scheda dati:
- AUIRF3808S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per AUIRF3808S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per AUIRF3808S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7 mOhm @ 82A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP001519466 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | AUIRF3808S |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5310pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 75V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 106A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AUIRF3808S
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF3805L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A TO262 | Inchiesta |
 |
AUIRF3805S-7TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET | Inchiesta |
 |
AUIRF3805 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A TO220AB | Inchiesta |
 |
AUIRF3205ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Inchiesta |
|
AUIRF3805S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK | Inchiesta |
|
AUIRF3805S-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 | Inchiesta |
 |
AUIRF3805L-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7 | Inchiesta |
|
AUIRF3007 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | Inchiesta |
|
AUIRF3305 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB | Inchiesta |
|
AUIRF3004WL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | Inchiesta |
|
AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | Inchiesta |
|
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | Inchiesta |
|
AUIRF3315STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog