NSVB143TPDXV6T1G
NSVB143TPDXV6T1G
Modello di prodotti:
NSVB143TPDXV6T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16358 Pieces
Scheda dati:
NSVB143TPDXV6T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-563
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):-
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:357mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NSVB143TPDXV6T1G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Descrizione:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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